www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

  • Главная
  • Новости
  • FUJI выпустила новую линейку MOSFET транзисторов серии SuperFAP-E lowQ

FUJI выпустила новую линейку MOSFET транзисторов серии SuperFAP-E lowQ

Компания FUJI выпустила новую линейку транзисторов MOSFET серии SuperFAP-E lowQ.

В последние годы усилия по решению экологических вопросов были направлены на решение проблем, связанных с парниковым эффектом. В тоже время во внимание принимались тенденции роста затрат энергоресурсов и необходимость экономии энергии связанные с экономическим ростом развивающихся стран.

Международная программа "ENERGY STAR" повышения энергетической эффективности повлияла на исследования и разработку устройств с низкими энергетическим потреблением с одной стороны и низкими потерями потребляемых мощностей с другой стороны. Так же необходимо учитывать требования современной промышленности к электронным устройствам, которые заключаются в необходимости сохранения не только низких потерь, но и обеспечении низкого уровня помех. Особенно остро эти проблемы встают при производстве различного рода инерторов, переключателей, конверторов и преобразователей.

Разработка новой линейки MOSFET транзисторов SuperFAP-E lowQ серии позволила создать устройства, которые в большей степени отвечают необходимым условиям как в режимах мягкого, так и жесткого переключения. Эта серия в полной мере обошла по показателям свою предшественницу серию.

Новая линейка MOSFET транзисторов SuperFAP-E lowQ представлена в двух основных номиналах рабочего напряжения 500 В и 600 В.

Все новости