www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

  • Главная
  • Новости
  • Mitsubishi Electric Corporation объявило о разработке 3-х новых моделей GaN HEMTs транзисторов

Mitsubishi Electric Corporation объявило о разработке 3-х новых моделей GaN HEMTs транзисторов

Компания Mitsubishi

Mitsubishi Electric Corporation объявила о разработке 3-х новых моделей GaN HEMTs транзисторов

 

 

 

 

Особенности:

  1. GaN HEMT - высокая производительность, высокая эффективность и высокое номинальное напряжение.
    • Диапазон мощностей 10W, 20W и 40W;
    • Разработан специально для L-C диапазонов (0.5-6.0 ГГц);
    • Эффективность выше на 46%;
    • Высокое номинальное напряжение 47В.
  2. Малый размер корпуса 4.4мм х 14.0 мм
    • Малые размеры позволяют уменьшить габарит устройства.

Код заказа:

MGF0846G - 40W;

MGF0843G - 20W;

MGF0840G - 10W.

Все новости