www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

Новый транзистор от Vishay: 20 V Chipscale MOSFET

lux-230315-big.jpgVishay Intertechnology, Inc.. представила новый TrenchFET® 20 V n-канальный MOSFET, предназначенный для экономии места, а также чтобы снизить энергопотребление и продлить срок службы аккумулятора носимых устройств, смартфонов, устройств-«таблеток» и твердотельных накопителей. Предлагаемый в типе корпуса MICRO FOOT® с ультранизкой максимальной высотой 0,54 мм, в компактном квадратном корпусе 1х1 мм, Vishay Siliconix Si8410DB обеспечивает самое низкое сопротивление для устройств 20 V.

Компонент оптимизирован для использования в качестве коммутатора нагрузки, выключателя малого сигнала и быстродействующего выключателя в управлении электропитанием, также Si8410DB отличается исключительно низким сопротивлением 37 мОм при 4,5 В, 41 мОм на 2,5 В, 47 мОм на 1,8 В и 68 мОм при 1,5 В. По сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусе CSP 1х1 мм, эти параметры дают улучшение 26% при 4,5 В, 32% при 2,5 В, 35% при 1,8 В и 27% при 1,5 В. По сравнению с устройствами DFN 1х1 мм, сопротивление на 32% ниже на уровне 4,5 В, на 40% ниже при 2,5 В, на 48% ниже на уровне 1,8 В и на 43% ниже при1,5 В. Устройство с низким сопротивлением вплоть до 1,5 В и напряжением затвора ± 8 В обеспечивает сочетание безопасности, гибкости управления затвором и высокую производительность для литий-ионных батарей.

Si8410DB предлагает чрезвычайно низкое сопротивлением на единицу площади 30 мОм/кв.мм - на 28% ниже, чем ближайший конкурирующий 20 V MOSFET - для экономии места и уменьшения расхода энергии батареи в мобильных приложениях. Низкое сопротивление устройства означает очень низкое падение напряжения на постоянном токе, таким образом меньше энергии теряется в виде тепла.

Образцы и компонент под заказ Si8410DB доступны уже сейчас, со сроком поставки 13 недель для крупных заказов.

Все новости