www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

  • Главная
  • Новости
  • SimBus F: высокомощный IGBT-модуль для преобразователей с низким энергопотреблением и систем управления двигателями

SimBus F: высокомощный IGBT-модуль для преобразователей с низким энергопотреблением и систем управления двигателями

SimBus FКомпания IXYS представила SimBus F — одну из новых компоновок модуля IGBT. Это современное поколение модулей на изолированной медной подложке (DCB) имеет ряд новшеств. Сочетание лучших технологических преимуществ делает SimBus F идеальным для использования в 2-х и 3-х уровневых инверторах. Выводы корпуса имеют стандартную высоту 17 мм, совместимую с выводами уровней выпрямителя и инвертора. Изоляция медной подложки (DCB) производства IXYS способна выдержать напряжение до 4800В между выводами и теплоотводом. Структура SimBus F оптимальна для полу-мостовой схемы IGBT модуля, обладает высокой проводимостью и низкой индуктивностью. Оснащенный IGBT-транзисторами XPT IXYS и обратными диодами SONIC, SimBus F является надежным для пользователя решением, способным реализовать на 100% технический потенциал, заложенный IXYS.

Планируемая сфера использования SimBus F — это преобразователи солнечной энергии, системы управления двигателями, повышающие и понижающие преобразователи постоянного тока и инверторные модули блоков бесперебойного питания.

Первые выпущенные модули на IGBT-транзисторах XPT IXYS на 1200В — это полу-мостовые схемы на токи 450, 300 и 225А, чопперы на 225А. Двойные XPT IGBT-модули MIXA600PF650TSF, а также MIXA600AF650TSF (общий эмиттер) и MIXA600CF650TSF (общий коллектор) обладают характеристиками по напряжению до 650В и току 600А.

В MIXA430LD1200TSF – половине 3-х уровневого инвертора T-типа (или NPC2) использована комбинация XPT IGBT-транзисторов на 650В и 1200В. Два таких модуля, включенных противопараллельно, образуют простую схему многоуровневого инвертора Т-типа с фиксированной нейтралью.

С IGBT-транзисторами на 1700В и комбинированием транзисторов на 1200В и 1700В станет доступно создание многоуровневых систем инверторов.

Изделие Uкэ, В Iк, A Структура модуля
MIXA225PF1200TSF 1200 250 полу-мостовая
MIXA300PF1200TSF 1200 325 полу-мостовая
MIXA450PF1200TSF 1200 450 полу-мостовая
MIXA600PF1200TSF 1200 600 полу-мостовая
MIXA60PF650TSF 650 490 полу-мостовая
MIXA225RF1200TSF 1200 250 чоппер
MIXA600AF650TSF 650 490 общий коллектор
MIXA600CF650TSF 650 490 общий эмиттер
MIXA430LD1200TSF 1200/650 430/345 NPC2

Все новости