www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

Выпуск Super-Junction MOSFET «Super J MOS® S2/S2FD» серии

Super-Junction MOSFET Super J MOS S2 / S2FDFuji Electric Co., Ltd. рада объявить о выпуске нового силового полупроводникового устройства MOSFET с технологией Super-Junction* MOSFET "Super J MOS® S2 / S2FD".

* Технология структуры MOSFET (полевого транзистора). Величина сопротивления на единицу площади поверхности может быть уменьшена по сравнению с обычной плоской структурой.

История

Силовые полупроводниковые приборы включены почти во все электротехнические продукты промышленного оборудования, таких как ИБП, мощные кондиционеры, бытовые приборы и являются ключевым устройством в хранении энергии и стабилизаторах питания. В настоящее время Fuji Electric уменьшила потери мощности в MOSFET по сравнению с существующими продуктами и выпустила новую серию "Super J MOS® S2 / S2FD", которая вносит свой вклад в экономию энергии.

Особенности

- Снижение сопротивления в открытом состоянии, что способствует экономии энергии. Серия S2 имеет на 25% уменьшенное сопротивление в открытом состоянии по отношению к существующей серии S1 при той же площади кристалла. Это будет способствовать экономии энергии и снижения затрат энергии оборудования, в котором установлены компоненты.
- Уменьшение потерь переключения благодаря более быстрому встроенному диоду. Серия S2FD примерно на 50% сокращает время, необходимое для выключения встроенного диода (время восстановления) по сравнению с серией S2. Применяя этот продукт в инверторных схемах и т.п., которые используют внутренние диоды, потери переключения уменьшаются, а большие напряжения, мгновенно возникающие при переключении (перенапряжения), подавляются. Это способствует экономии энергии и повышению надежности оборудования, в котором установлены продукты.

Спецификация

Серия

Встроенный диод

Напряжение

Сопротивление в открытом состоянии

Ток

S2

стандартный

600В

380 мОм – 25мОм

8 A - 96 A

S2FD

высокоскоростной

600В

170мОм – 27мОм

18 A - 96 A

Применения

ИБП, мощные кондиционеры, зарядные устройства электромобилей, серверы и базовые станции связи, светодиодное освещение и др.

Все новости