www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

  • Главная
  • Новости
  • Технология MDmesh™ компании STMicroelelctronics позволила достичь нового уровня производительности MOSFET транзисторов: лучшее в своем классе значение сопротивление канала при напряжении до 650В.

Технология MDmesh™ компании STMicroelelctronics позволила достичь нового уровня производительности MOSFET транзисторов: лучшее в своем классе значение сопротивление канала при напряжении до 650В.

STMicroelectronics. Новые MOSFET транзисторы с технологией MDMesh, новый уровень эффективности

Первые устройства, созданные по технологии MDmesh V достигли значения сопротивления канала MOSFET транзистора RDS(on) 0.079 Ом в корпусе TO-220 и D2PAK. STMicroelectronics 17 февраля 2009 года анонсировала прорыв в уровне производительности для кремниевых MOSFET транзисторов, достигнув минимального сопротивления канала с помощью новейшей технологии MDmesh™ V. Данная технология позволяет производить новое поколение полевых транзисторов с рабочим напряжением 650В и сопротивлением канала RDS(on) 0.079 Ом. Данные устройства предназначены для различных систем преобразователей мощности, где главной целью разработчиков является размер и малое рассеяние энергии. Основное применение: Коррекция коэффициента мощности и источники питания.

Одной из представленной моделью является STP42N65M5 с RDS(on) 0.079 Ом, максимальным током 33 А, в корпусе TO-220. В подгруппе STx42N65M5 ожидается появление моделей в корпусах I2PAK, TO-220FP, TO-247 и D2PAK. В подгруппе STx16N65M5 RDS(on) составляет 0.299 Ом при рабочем токе 12A и напряжении до 650В. В планах развития MOSFET транзисторов с технологией MDmesh™ V выпуск моделей с RDS(on) 0,022 Ом в корпусе MAX247 и 0,038Ом в корпусе TO-247.

MDMesh V технология (Multi-Drain Mesh) благодаря структуре стока транзистора и снижению напряжения падения между стоком и истоком позволяет достичь выдающейся проводимости канала по отношению к площади кристалла. А это позволяет снизить статические потери компонента и не увеличивать заряд затвора Qg, что в свою очередь снижает потери в импульсном режиме. Напряжение пробоя 650В транзисторов также превосходит 600В версии, что повышает надежность изделия. Среди остальных преимуществ технологии MDMesh V более чистая переходная характеристика при выключении транзистора, что положительно сказываться в легкости управления и снижает электромагнитные помехи.

Запросить цены на партии и заказать образцы можно у менеджеров отдела продаж электронных компонентов.

Телефоны, факс:

+7 (495) 739-55-33

+7 (495) 995-20-20

+7 (495) 777-03-27

E-mail: sales@dialelectrolux.ru

Все новости