www.siplace.ru

Оборудование для SMD линии

dialsmt.ru

SMT оборудование.
Сделано в России

www.compensation.ru

Оборудование для компенсации реактивной мощности и щитовое оборудование

www.contaclip.ru

Электротехническая продукция. Измерительные приборы

www.dialelectrolux.ru

Электронные компоненты

8 800 555 08 23

бесплатный номер для регионов

+7 (495) 995-20-20

сделать заказ, задать вопрос

sales@dialcomponent.ru

отправить письмо

Новости

Новые коммерческие полимерные конденсаторы KEMET с увеличенным сроком эксплуатации

Подробнее

Миниатюрные акселерометры TDK с высокой линейностью

Подробнее

Календарь событий

Март 2014

  • Главная
  • Новости
  • Vishay: новые транзисторы MOSFET 600V E-серии PowerPAK® 8x8 с уменьшенной индуктивностью затвора

Vishay: новые транзисторы MOSFET 600V E-серии PowerPAK® 8x8 с уменьшенной индуктивностью затвора

Vishay Intertechnology, Inc анонсировала, что в настоящее время компания начала предлагать транзисторы MOSFET 600 V E-серии в компактном корпусе PowerPAK® 8x8. Новинки от Vishay Siliconix SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, и SiHH11N60E имеют большие выводы с низким тепловым сопротивлением и возможностью подключением по схеме Кельвина, которая может повысить эффективность за счет улучшения сигнала включения затвора. Их новые низкопрофильные корпуса PowerPak 8x8 для поверхностного монтажа RoHS-совместимы, не содержат галогены и свинец (Pb) и обеспечивают компактную альтернативу обычным корпусам TO-220 и ТО-263.

Конструкция корпуса PowerPAK® 8x8 позволяет подключить исток для организации связи по схеме Кельвина . Это предотвращает снижения напряжения затвора, которое прикладывается к транзисторам MOSFET серии Е. Это приводит к более быстрому переключению и большей помехоустойчивости в силовых применениях для телекоммуникаций, серверов, компьютеров, освещения, а также промышленных применений.

Построенные по последней энергоэффективной «superjunction» технологии Vishay компоненты SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E и SiHH11N60E характеризуются низким сопротивлением канала вплоть до 0,135 Ом при 10 В, ультранизким зарядом затвора вплоть до 31 нК и малым временем заряда затвора до включения канала - ключевым показателем качества для транзисторов MOSFET , используемых в приложениях преобразования энергии. Эти значения приводят к крайне низким потерям проводимости и низким потерям на переключения. Это сохраняет энергию при коррекции коэффициента мощности, обратноходовых преобразователях, и двуполупериодных преобразователях для серверов и телекоммуникационного электропитания, HID и флуоресцентного балласта освещения, адаптеров питания бытовой и вычислительной техники, моторных приводов, солнечных PV инверторов, индукционного нагрева и сварочного оборудования. 

Предлагаемые MOSFET-транзисторы разработаны так, чтобы выдерживать высокие импульсы в лавинных и коммутационных режимах, проходят 100% тестирование UIS для гарантии пределов номинальных величин.

Образцы и объемы производства SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E и SiHH11N60E доступны со сроками 16 недель.

Все новости